光罩圖形轉移之曝光機。
主要是用來作光阻的塗佈。數位操作面板,可輕易的設定轉速、加速度及時間 。
藉著對被蒸鍍物體加熱,利用被蒸鍍物在高溫(接近其熔點)時所具備的飽和蒸氣壓,來進行薄膜的沉積。多功能蒸鍍機,舉凡Al、Cr、Au、Ti、Ni、Ta、Pt、SiO2等都可以使用於此系統
使用電漿對靶材進行離子轟擊,將靶材表面的原子撞擊出來。這些原子以氣體分子型式發射出來,並到達所要沉積的基板上,再經過附著、吸附、表面遷徙、成核等過程之後,在基板上成長形成薄膜。
以探針接觸試片並掃描回饋信號以繪出物體表面形貌、粗糙度或是弧度。
極細的金屬線(線徑為18~50μm),將晶粒上的接點與導線架的內引腳連接起來,藉而將IC晶粒的電路訊號傳輸到外界。
利用探針與樣品間的交互作用在掃描過程中保持一定距離,紀錄掃描面上每一點的垂直微調距離,便可獲得樣品表面的等交互作用圖像,進而推導出樣品表面特性。
利用奈米鑽石壓頭將極微小之荷重作用在待測材料表面,使材料發生變形。利用位移感測器可測得壓頭之壓入深度、進而得知下壓面積;而藉由測試所得之荷重-深度曲線,配合Oliver-Pharr關係式,可進一步計算得到材料之硬度及彈性係數。
可用於確認半導體薄膜電特性,如載子濃度、移動率、電阻率及霍爾係數等。本系統配備電流電壓量測功能以確認試片歐姆接點特性。主要利用 Van Der Pauw 四點探針法和霍爾效應,量測薄膜中多數載子濃度與遷移率,此系統可於77K與室溫下量測各種N型與P型半導體及化合物半導體薄膜電特性。
Lambda 750S紫外光/可見光/近紅外光分光光譜儀為分析電子、光電、化工等材料之穿透率、漫射率及全反射率儀器,系統規格在紫外光/可見光解析度達0.05-5nm、在近紅外光解析度可達0.2-20nm。本系統搭配6公分積分球可以量測光譜範圍達190-2500nm,準確度相較於理論值可達2%以內。